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在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大．主要体现在高阻（〉10^5Ω·cm量级）和低阻（〈10^5量级）并存，有的甚至超高阻（〉10^12量级）和低阻并存，针对这一测试结果，开展了相关的实验研究，SiC单晶半绝缘性能的实现是通过在单晶生长过程中掺入深能级杂质V来补偿浅施主N和浅受主B，利用二次质谱（SIMS）对同一晶片不同区域的杂质元素V、N和B含量进行测试，结果发现晶片中v和N的含量都在1×10^17量级时会出现同一晶片不同区域电阻率相差较大的情况，而