【摘 要】
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利用荧光光谱对剂量为1.72×10 （19）n/cm2的中子辐照掺氮6H-Si C晶体的发光特性进行了研究。结果表明：中子辐照在晶体中产生了大量缺陷,导致晶格结构发生严重损伤,使N有关的
【机 构】
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运城学院物理与电子工程系,天津大学理学院
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利用荧光光谱对剂量为1.72×10 （19）n/cm2的中子辐照掺氮6H-Si C晶体的发光特性进行了研究。结果表明：中子辐照在晶体中产生了大量缺陷,导致晶格结构发生严重损伤,使N有关的施主-受主对遭到破坏,引起对应的560nm发光峰消失;同时辐照缺陷引起的晶格应力使417nm和438nm附近发光峰发生轻微的蓝移现象。对辐照样品进行800℃和1600℃的等时退火后,发现低温800℃退火并未引起辐照损伤的明显恢复;经1600℃退火处理后,560nm发光峰明显升高,而417nm和438nm发光峰显著
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