锂掺杂氧化锌薄膜晶体管的研究

来源 :湘潭大学自然科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kvkv

【摘要】

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采用溶胶凝胶法（sol—gel）在P型硅基底制备了锂掺杂氧化锌薄膜．以锂掺杂氧化锌薄膜为沟道层，制备了底栅结构的薄膜晶体管．XRD实验结果表明．500℃退火得到的锂掺杂氧化锌薄膜为纤锌

【作者】

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郭建金礼梁波王江

【机构】

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湘潭大学材料与光电物理学院

【出处】

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湘潭大学自然科学学报

【发表日期】

：

2013年2期

【关键词】

：

薄膜晶体管溶胶凝胶锂掺杂氧化锌 thin film transistor sol-gel Li-doped ZnO

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采用溶胶凝胶法（sol—gel）在P型硅基底制备了锂掺杂氧化锌薄膜．以锂掺杂氧化锌薄膜为沟道层，制备了底栅结构的薄膜晶体管．XRD实验结果表明．500℃退火得到的锂掺杂氧化锌薄膜为纤锌矿结构．具有c轴择优取向．SEM实验结果说明，薄膜晶粒大小约为25nm，尺度分布均匀．电学测试结果显示器件是N沟道增强型．

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