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试验了通过NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐在电流密度50 mA/cm2、电沉积脉冲电流正反向比9∶1和750 ～850℃60 min电沉积下阴极（/mm）20 ×20 ×0.5的1.6Si无取向冷轧硅钢片断面层硅的分布,并通过计算得出Si的扩散系数.结果表明,电沉积温度由750℃提高至850℃时,试样中Si含量增加,扩散的深度由18 μm提高到40μm;电沉积温度与Si在钢中的扩散系数近似符合Arrhenius指数关系.