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研究了四钼酸铵(AQM)晶体生长速率、反应历程和控制性步骤。结果表明：AQM晶体线生长速率()在0.3～1.75 μm/min范围内。过饱和生成速度大于消除速度的结晶初期，结晶过程处于相变反应控制的动力学区域，该区域和溶液过饱和度(ΔC)由上升到下降。当过饱和消除速度增大到与生成速度相等时，过程转变为由Mo8O4-26聚合反应控制的化学反应区域，此区域和ΔC处于稳定不变的状态。结晶后期(即ΔC)不变时，成核速率却依然快速升高的特征表明，AQM成核大部分是在首先接触到无机酸的局部溶液中完成的。