生长工艺对生长室内温度分布影响的数值模拟

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为给实验研究晶体生长工艺提供必要的理论指导,以氢气和氧气的燃烧为基础,研究了焰熔法生长金红石单晶体过程中生长室内的温度分布特征,分析了H2和O2流量、喷嘴尺寸对温度分布的影响.研究表明:适合金红石单晶体生长的最佳燃烧器为内O2、中H2和外O2的三管结构;随着H2流量增加,生长室轴心线上和径向温度逐渐增大,H2流量增加2L/min,中心最高温度平均升高160℃,位置向下移动约2.5mm;随着内、外O2流量增加,生长室轴心线上和径向温度逐渐降低,与内O2的影响相比,外O2对中心温度影响较小,而对径向温度的影响
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