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主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究，讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时，器件对SEU敏感性的变化情况。模拟结果表明，随着器件尺寸的缩小，衬底浓度的增大，器件对SEU的敏感性增加。
小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟
【摘 要】
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主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究，讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时，器件对SEU敏感性的变化情况。模拟结果表明，随着器件尺寸的缩小，衬底浓度的增大，器件
【机 构】
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华南理工大学微电子研究所,信息产业部电子第五研究所
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2008年3期
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