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对坩埚下降法生长锗酸铋闪烁晶体的缺陷进行了研究，除使用通常研究透明晶体的光学方法，由于ＢＧＯ晶体在受到光辐照损伤对短波长光具有高的吸收系数，因此还采用近紫外光吸收形貌法研究晶体缺陷，以及缺陷与晶体小面之间的关系，并根据ＢＧＯ晶体的结晶习性和小面形成机理提出了减少和消除晶小面生长及缺陷的方法。
锗酸铋晶体缺陷和小面生长
【摘 要】
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对坩埚下降法生长锗酸铋闪烁晶体的缺陷进行了研究，除使用通常研究透明晶体的光学方法，由于ＢＧＯ晶体在受到光辐照损伤对短波长光具有高的吸收系数，因此还采用近紫外光吸收形貌法研究
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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硅酸盐学报
【发表日期】
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1994年6期
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