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采用助溶剂法使用Bi2O3作为助溶剂生长出Bi4Ti3O(12)和Bi3.5Nd(0.5)Ti3O12单晶。研究了Nd取代对Bi4Ti3O12单晶铁电和介电性能的影响。Bi4Ti3O(12)单晶的剩余极化(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别约28μC/cm-2和71KV/cm,Bi3.5Nd0.5Ti3O12单晶的2Pr和2Ec分别约20μC/cm-2/cm-2和41kV/cm。与Bi4Ti 3O12单晶相比,Bi3.5Nd0.5Ti3O12单晶具有较低的漏电流约为10-8 A/cm-2。Bi4Ti3O12单