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中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的量子阱激光器取得最新成果。这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变量子阱为有源区实现了1.58μm室温激射,这是迄今为止国际上GaAs基异变结构长波长激光器的最新进展:表明GaAs基InGaAs异变量子阱结构是制备1.55μm波段光电子器件的一种可行性新材料。