【摘 要】
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<正>可望制作吉(10~9)位动态随机存取存储器(RAM)和64M位静态RAM的 存储单元结构的进展,以及可在3.3V或更低电源电压下工作的高密度逻辑电路的发展,这些都是在IEDM会议上展示
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<正>可望制作吉(10~9)位动态随机存取存储器(RAM)和64M位静态RAM的 存储单元结构的进展,以及可在3.3V或更低电源电压下工作的高密度逻辑电路的发展,这些都是在IEDM会议上展示的重大进展,它表明存储器密度和逻辑电路的复杂性都在飞速提高.在多层金属互连和器件结构上的改进,也预示着下一代逻辑芯片的电路复杂性将会有重大改进.在第26会场,即“集成电路——先进的动态和静态RAM”会场上,有三篇论文着重谈到了一些最新存储器结构取得的最新进展.日本东芝公司、韩国三星电子公司和日本NEC公司均
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