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本文试图确定黑体辐射温度测量的理论与实际的分辨率极限，计算仅限于非滤色的Ｓｉ、Ｇｅ、Ｉｎｓｂ光电二极管和温度限于１００℃～１５００℃的范围内，以因碇为体（ＢＢ）结构确定测量几何形态，其视场角为３°，观察面积为１ｍｍ＾２，假定探测器的长期噪场所生能为目前最佳技术水平，计算表明，温度在１００℃～２８０℃的范围内，Ｉｎｓｂ全通带光测高温国计的最佳分辨率是１５ｍＫ～４０ｍＫ，温度在２８０℃～５００℃范围内