2. 您的位置
3. 首页
4. 期刊论文
5. 以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜

以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yiyiyaya13575

【作 者】

：

黄锐  林璇英  余云鹏  林揆训  姚若河  黄文勇  魏俊红 

【出 处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2004年10期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

离子液体作流动相添加剂高效液相色谱法分离吲哚类生物碱

期刊

Style Features of Late Romantic Musical Texture

会议

95%水胺硫磷慢性毒性和致癌性研究

期刊

1起肠炎沙门菌引起学校食源性疾病暴发事件的流行病学调查

期刊

建筑工程项目管理中的成本控制要点

期刊

云南大叶种茶树种质资源主要成分多样性分析

期刊

下一代的超高层建筑

会议

除“毒”患 治顽疾——宁夏回族自治区禁毒之路

期刊

野山杏果肉总有机酸的分离纯化及其清除自由基能力的研究

期刊

浅探自然肌理对漆画创作的启发和运用——以作品《方寸·世界》《梦境》系列为例

学位