【摘 要】
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随着绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术的发展,目前主流的场截止型结构越来越接近其理论极限.超结被誉为“功率MOS的里程碑”,近年来也被引入IGBT以进一步提升器件性能.超结IGBT结合了场截止型IGBT和超结结构的优点,可在更短漂移区长度下实现高耐压和低损耗.然而,作为一种双极型器件,超结IGBT具有与超结MOSFET不同的工作原理.文章从超结原理出发,揭示了超结IGBT的结构特点和工作原理,并对超结IGBT的最新研究进展进行了梳理和概括.
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054
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随着绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术的发展,目前主流的场截止型结构越来越接近其理论极限.超结被誉为“功率MOS的里程碑”,近年来也被引入IGBT以进一步提升器件性能.超结IGBT结合了场截止型IGBT和超结结构的优点,可在更短漂移区长度下实现高耐压和低损耗.然而,作为一种双极型器件,超结IGBT具有与超结MOSFET不同的工作原理.文章从超结原理出发,揭示了超结IGBT的结构特点和工作原理,并对超结IGBT的最新研究进展进行了梳理和概括.
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