【摘 要】
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针对无源RFID标签功耗受限、芯片面积小的特点,采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺设计了一种温度传感器。利用MOS管沟道电流的温度特性,设计了两种带有偏置电流源的延迟单元,通过
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院,辽宁工程技术大学电子与信息工程学院
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针对无源RFID标签功耗受限、芯片面积小的特点,采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺设计了一种温度传感器。利用MOS管沟道电流的温度特性,设计了两种带有偏置电流源的延迟单元,通过其相互补偿产生脉冲与温度相关以提取温度信息。设计了后续电路将提取的温度信息转换成数字信号供RFID标签数字控制模块使用。仿真结果表明,当温度范围为-20~80℃时,温度传感器精度为0.8℃;标签芯片供电电压为1.8 V时,传感器芯片总的工作电流为440 nA,标签芯片模拟前端电路总工作电流为5μA。
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