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基于电子密度演化模型，借助数值方法，研究了飞秒激光作用下光学薄膜内的电子密度演化过程，讨论了初始电子密度Ni和激光脉冲宽度τ对光学薄膜激光损伤阈值Fth的影响，分析了激光诱导薄膜损伤过程中MPI和AI的性质和作用．研究结果表明，对应于一定的脉宽，存在一个临界初始电子密度，当Ni低于这一临界密度时，Fth不受Ni影响；当Ni高于临界密度时，Fth随Ni增加而降低．临界初始电子密度随着脉宽的减小而增加。对于FS和BBS介质薄膜，Fth随脉宽的增加而升高。初始电子密度Ni对BBS中的MPI和AI基本没有影响；同