【摘 要】
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据日本《电子材料》杂志1991年第10期报道,日立制作所在世界上最早研究形成钨膜的新工艺技术,适用于256M DRAM等的0.2μmULSI布线。 现在的LSI布线以铝为主,而铝的熔点(660℃
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据日本《电子材料》杂志1991年第10期报道,日立制作所在世界上最早研究形成钨膜的新工艺技术,适用于256M DRAM等的0.2μmULSI布线。 现在的LSI布线以铝为主,而铝的熔点(660℃)比较低,且机械强度小,用于0.2μm布线,在可靠性上很难保证。对钨来说,熔点非常高,可达到3380℃,可靠性也非常好,能够实现超微
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