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用透射电镜拍摄球形Ｃ－Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米晶，并研究了室８温下它的激发和发射光谱。结果表明，９００℃制备的体材料和相应的纳米晶相比，其激发光谱存在明显差异。前者以基质激发带为主导，电荷转移带很弱，而后者以ＣＴＢ为主。在绝缘体稀土氧化物中，可以忽略纳米效应对Ｅｕ＾３＋离子的４ｆ－４ｆ能级跃迁的激发和发射光谱峰位的影响。