【摘 要】
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近日,安森美半导体(ONSemiconductor)公司推出新类的电荷耦合器件(CCD)图像传感器技术,为工业市场的微光成像树立新的基准。这项新技术结合安森美半导体领先业界的行间转移(I
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近日,安森美半导体(ONSemiconductor)公司推出新类的电荷耦合器件(CCD)图像传感器技术,为工业市场的微光成像树立新的基准。这项新技术结合安森美半导体领先业界的行间转移(Interline Transfer,IT)CCD像素设计及新开发的电子倍增(Electron Multiplication,EM)输出结构,使图像传感器方案能够提供亚电子(sub-electron)噪声性能
ON Semiconductor has introduced a new class of charge-coupled device (CCD) image sensor technology to set a new benchmark for low-beam imaging in the industrial market. Combined with ON Semiconductor’s industry-leading Interline Transfer (IT) CCD pixel design and the newly developed Electron Multiplication (EM) output structure, this new technology enables the image sensor solution to provide sub-electron Noise performance
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