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用分子束外延方法生长了ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０＾３Ｖ／Ｗ。
9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器
【摘 要】
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用分子束外延方法生长了ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０＾３Ｖ／Ｗ。
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1994年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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