【摘 要】
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中科院上海冶金研究所和机电部11所首次联合研制的MOCVD生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质结构材料工艺和特性于今年1月在上海冶金研究所通过鉴定。 HgCdTe材料是目前红外技术应
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中科院上海冶金研究所和机电部11所首次联合研制的MOCVD生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质结构材料工艺和特性于今年1月在上海冶金研究所通过鉴定。 HgCdTe材料是目前红外技术应用中最重要的材料之一,用这种材料制成的探测器可广泛地应用于卫星遥感,空间侦察,勘探资源,监控森林火灾。在军事上则可用于红外
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