【摘 要】
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研制太赫兹量子级联激光器的核心是制备以GaAs为代表的量子阱超晶格,在制备GaAs为代表的量子阱超晶格过程中,需要解决As缺位等基础性物理问题。采用激光分子束外延技术制备了
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心
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研制太赫兹量子级联激光器的核心是制备以GaAs为代表的量子阱超晶格,在制备GaAs为代表的量子阱超晶格过程中,需要解决As缺位等基础性物理问题。采用激光分子束外延技术制备了GaAs外延薄膜,研究了实验参数对GaAs薄膜性能,特别是As缺位的影响。在线RHEED测试结果表明,GaAs可以实现外延生长。原位XPS和UPS等测试研究结果表明,激光分子束外延技术制备GaAs外延薄膜过程中存在As缺位问题,激光能量对GaAs薄膜中As含量具有明显的影响,要获得理想成分比的GaAs外延薄膜,需要较高的脉冲激光能量（6
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