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研究了圆柱形GaN量子点的电调制反射谱,外加电场的变化范围为10-50 kV/cm,在调制电场的作用下,电反射谱具有Franz-Keldysh振荡的特点.当调制电场的强度发生变化时,Franz-Keldysh振荡出现Stark频移,并分别对轻空穴和重空穴作用下的特点进行讨论.
GaN圆柱形量子点的量子限制Stark频移
【摘 要】
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研究了圆柱形GaN量子点的电调制反射谱,外加电场的变化范围为10-50 kV/cm,在调制电场的作用下,电反射谱具有Franz-Keldysh振荡的特点.当调制电场的强度发生变化时,Franz-Keld
【机 构】
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华北水利水电学院数学与信息科学学院,河南农业大学理学院
【出 处】
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江西师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2011年3期
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