【摘 要】
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本文报告用双极场引晶体管（BiFET）电化电流解析理论计算的内禀结构直流特性,晶体管有两块等同MOS栅,纳米厚度纯硅基,没有产生复合和俘获.用交叉双路或Z形单路递归循环算法,很快
【机 构】
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北京大学,佛罗里达大学,中国科学院外籍院士
【基金项目】
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Acknowledgment Wc thank Professors Xing Zhou（ Nanyang Technological University, Singapore ） Chenming Hu （University of California, Berkeley）, Gennady Gildenblat （Arizona State University） and Mitiko M
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本文报告用双极场引晶体管（BiFET）电化电流解析理论计算的内禀结构直流特性,晶体管有两块等同MOS栅,纳米厚度纯硅基,没有产生复合和俘获.用交叉双路或Z形单路递归循环算法,很快得到三个势变量的数字解：静电势,电子和空穴电化学势,从而算出电子和空穴表面和体积沟道电流.三种势边界条件主导地影响内禀结构直流特性,用20个量级跨度电流说明.（10-22-10-2A/□,迁移率400cm^2/（V.s） ,1.5nm厚栅氧化层,30nm厚纯基）强表面沟道内载流子空间电荷限制飘移电流起主导作用,除此以外理论上还观察
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