基于AR-TFM方法的超声成像分辨力提升

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将多频带自回归(AR)谱外推和全聚焦方法(TFM)相结合,提出了一种AR-TFM方法,可将超声成像分辨力从波长级提升至亚波长级.采用基于高阶累积量的奇异值分解方法确定AR阶数,选择多组有效频带外推处理全矩阵数据中的阵列信号,并对结果进行平均加权,最后实施延时叠加和逐点成像,提高该方法的适用性和鲁棒性.分别采用TFM和AR-TFM方法对碳钢试块进行检测,并对其检测结果进行对比.仿真和试验结果表明,AR-TFM方法能够突破瑞利准则的限制,有效提高超声成像分辨力,实现了碳钢试块3个中心距为0.7λ(λ为超声波长)的相邻圆孔的分离,缺陷深度定位误差不超过1.8%,中心距定位误差不超过15%.
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根据惯性微流控粒子分选原理,设计并制备了基于收缩-扩张结构的微流控芯片,用以实现不同直径粒子的连续分离,并利用COMSOL软件对通道结构进行了流体速度仿真分析,发现当流体通过收缩通道时,流体速度迅速增大.采用微电子机械系统(MEMS)技术制备了微流控芯片:芯片由聚二甲基硅氧烷(PDMS)通道和玻璃基底两部分组成,利用惯性力和Dean力作用,从而实现粒子有效分选.实验过程中,采用两种不同直径的聚苯乙烯微球作为实验样本,分别在150和300 μL/min的高体积流量下将两种粒子的混合溶液注入通道,进行了多次实
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超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB2超导薄膜制备超导微桥.研究了一种MgB2超导微桥的制备方法.首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001) SiC衬底上制备出尺寸约1μm×1μm的微桥结构,然后采用混合物理化学气相沉积(HPCVD)法,在带有微桥结构的SiC衬底上生长厚度约20 nm的MgB2薄膜,从而得到MgB2超导微桥.扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,微桥处的薄膜致密,
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