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据堪萨斯州立大学物琿学副教授康潘(Α. Compann)说,对半导体晶格温度进行的直接测定表明,在脉冲激光退火过程中晶格的温升太低,因而不至于使材料溶化。在与鲁(H. W. Lo)一起进行的实验中,康潘测得,用焦耳/厘米2的488毫微米波长激光辐照时,硅晶体的温升仅为300 ℃,此值远高于此波长下的退火阈值。硅的熔点为1412 ℃。