论文部分内容阅读
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法（LEC）分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料。对材料分别进行了室温Hall,变温Hall的测试。结果表明富磷熔体条件下具有较高浓度的VInH4复合体,富铟熔体条件VInH4的浓度最低。