【摘 要】
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采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计并实现了一款单片宽带混频器。该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二
【机 构】
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河北科技大学信息科学与工程学院,中国电子科技集团公司第五十四研究所,
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采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计并实现了一款单片宽带混频器。该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二极管以提升混频器线性度。本振巴伦和射频巴伦均采用螺旋线式Marchand巴伦,为降低巴伦的幅度及相位不平衡度,采用遗传算法对巴伦的几何参数进行了优化设计。该混频器电路采用0.25μm GaAs PHEMT工艺实现,芯片面积为1.5 mm×1.1 mm。测试结果表明,当本振功率为20 dBm时,变频损耗小于7 dB,输入三阶交调点IIP3大于22 dBm。本振端口到射频端口和中频端口的隔离度均大于30 dB。
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