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报道了一种新的半导体体效应器件－－体等离子体器件，它是由很薄的高纯GaAs层构成（1－2μm)，在强电场（大于200kV/cm）下产生雪崩击穿，形成一个由电子和空穴组成的等离子体，这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率，并强烈地依赖于外磁场，因此可以做成振荡器及磁敏传感器，有广泛的用途。
高纯GaAs中的等离子体振荡现象
【摘 要】
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报道了一种新的半导体体效应器件－－体等离子体器件，它是由很薄的高纯GaAs层构成（1－2μm)，在强电场（大于200kV/cm）下产生雪崩击穿，形成一个由电子和空穴组成的等离子体，这一等离子体有较
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年10期
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