【摘 要】
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通过TCAD二维仿真工具模拟光辐照环境,对二极管的光辐照响应进行了仿真研究。首先完成了相关仿真电路的搭建并列出了电路元件及二极管的结构参数,然后对光吸收的概念进行了解
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,中国工程物理研究院电子工程研究所
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通过TCAD二维仿真工具模拟光辐照环境,对二极管的光辐照响应进行了仿真研究。首先完成了相关仿真电路的搭建并列出了电路元件及二极管的结构参数,然后对光吸收的概念进行了解释并详细说明了如何在仿真软件中表示光照参数,在不超过硅材料本征吸收限的光照波长领域中,对二极管光生电流的影响因素进行了仿真研究,并给出了相关结论。扩大了光照波长的研究范围,为以后进一步研究硅器件的光辐照响应奠定了良好的基础。
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