【摘 要】
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基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30～34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC).该MMIC集成了滤波
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050001
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基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30～34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC).该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和较好的带外抑制特性;LNA采用单电源和电流复用结构,实现较高的增益和较低的功耗.测试结果表明,该MMIC芯片在30～34 GHz频带内,增益大于28 dB,噪声系数小于2.8 dB,功耗小于60 mW,在17～19 GHz频带内带外抑制比小于-35 dBc.芯片尺寸为2.40 mmxl.00 mm.该LNA MMIC可应用于毫米波T/R系统中.
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