【摘 要】
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以Sn粉和SbI3 为主要原料 ,在 12 0～ 170℃温和水热条件下合成了具有导电能力的Sb掺杂SnO2 (ATO)透明导电纳米粉体 .运用FT IR ,XRD ,BET ,TEM等手段对粉体的形成过程进行了分
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室上海200050
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以Sn粉和SbI3 为主要原料 ,在 12 0～ 170℃温和水热条件下合成了具有导电能力的Sb掺杂SnO2 (ATO)透明导电纳米粉体 .运用FT IR ,XRD ,BET ,TEM等手段对粉体的形成过程进行了分析表征 .实验结果表明 ,所合成的纳米ATO粉体均为四方锡石结构 ,无其他杂相存在 ,晶粒大小在 4～ 7nm之间 ,粉体呈单分散状态 .比表面积在 13 7～ 182m2 ·g- 1之间 ,随水热温度的升高 ,晶粒长大 ,比表面积下降 ,粉体导电性能提高 .该方法对于其他透明导电氧化物纳米粉体的合成具有借鉴意义
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