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为制备符合铁电场效应晶体管及铁电存储二极管要求的高质量铁电薄腹，采用激光脉冲沉积方法制备了Ａｕ／ＰＺＴ－ｐ－Ｓｉ／Ａｕ和Ａｕ和Ａｕ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ多层结构的两种铁电薄膜系统，。
MFSM结构铁电薄膜系统Ⅰ—Ⅴ特性研究
【摘 要】
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为制备符合铁电场效应晶体管及铁电存储二极管要求的高质量铁电薄腹，采用激光脉冲沉积方法制备了Ａｕ／ＰＺＴ－ｐ－Ｓｉ／Ａｕ和Ａｕ和Ａｕ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ多层结构的两种铁电薄膜系统，。
【机 构】
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华中理工大学电子科学与技术系,桂林电子工业学院计算科学与应用物理系
【出 处】
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桂林电子工业学院学报
【发表日期】
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1999年4期
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