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本介绍了采用网状发射极结构，浓硼扩散发射极镇流电阻，输入，人匹配等技术研制出的硅微波脉冲大功率晶体管，该器件在３．１－３．４ＧＨｚ的雷达频带内，脉冲输出功率２８Ｗ，增益７．５ｄＢ，效率３０％。
3.3—3.4GHz28W硅脉冲大功率晶体管的研制
【摘 要】
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本介绍了采用网状发射极结构，浓硼扩散发射极镇流电阻，输入，人匹配等技术研制出的硅微波脉冲大功率晶体管，该器件在３．１－３．４ＧＨｚ的雷达频带内，脉冲输出功率２８Ｗ，增益７．５ｄＢ，效率３０％。
【机 构】
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电子部第13研究所,电子部第13研究所,050051,石家庄
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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1997年1期
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