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提出了一个可靠的方法排除热释电讯号的干扰,利用同一个样品将高绝缘铁电单晶的表面电阻和体电阻分开来测量。在70～170℃温度范围内,对不同切向的纯铌酸锂单畴和多畴单晶的表面电阻和体电阻进行了详细的测量。实验数据支持表面和体内都具有跳跃导电机构,给出了不同方向跳跃导电激活能在0.895～1.096eV之间。