【摘 要】
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采用原子探针层析(APT)技术研究晶界碳化物析出之前杂质或溶质原子在690合金晶界处的偏聚规律,并采用配备在高分辨透射电子显微镜(HRTEM)上的能谱(EDS)设备研究晶界碳化物析
【机 构】
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上海大学微结构重点实验室,上海大学材料研究所
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采用原子探针层析(APT)技术研究晶界碳化物析出之前杂质或溶质原子在690合金晶界处的偏聚规律,并采用配备在高分辨透射电子显微镜(HRTEM)上的能谱(EDS)设备研究晶界碳化物析出之后690合金晶界处的成分演化规律。结果表明:在晶界碳化物析出之前,C、B、Si等原子偏聚在晶界处,同时C与Cr共偏聚在晶界处,晶界富Cr;碳化物析出之后,晶界处Cr浓度越来越低,在715℃时效15 h后晶界处Cr浓度达到最低值,然后随着时效时间的延长Cr浓度逐步提高;当碳化物基本覆盖整个晶界后晶界富Cr;除了晶界处Cr贫化程
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