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<正> 引言 随着硅器件向高集成度、高可靠性、高稳定性友降低成本,提高成品率等方面的发展,不仅对硅材料的内在质量提出越来越高的要求,而且对硅晶片表面磨抛质量提出更加严格的要求。这就要求不断改进硅片的磨抛工艺,提高表面质量,而另一方面随之而来的是要求建立精确的表面质量的检测手段。为了比较和检测不同抛光工艺中硅片表面残留损伤的程度,我们曾开展了热氧化层错法和X射线测半峰宽法的测量工作。实验过程中我们发现用热氧化层错法检测重掺n型硅晶片表面残留损伤是受到限制的。同时还对热氧化层错的形成机构作了些初步分析。