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采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的A1GaN过渡层作为中间层,在76.2mmSi衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料表面平整光滑,晶体质量和电学性能良好,2DEG面密度为1.12×10^13cm^-2,迁移率为1208cmz/(v·s)。由该材料研制的栅长为1bcm的AlGaN/GaNHEMT器件,电流增益截止频率fT达到10.4GHz,这些结果表明