【摘 要】
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采用直流反应磁控溅射法、利用ScAl合金靶（含Sc质量分数10％）制备了一系列不同衬底温度的Sc掺杂AlN（ScAlN）薄膜.利用X线衍射仪、原子力显微镜和铁电测试仪的电流-电压（I-V）模块研究了
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
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采用直流反应磁控溅射法、利用ScAl合金靶（含Sc质量分数10％）制备了一系列不同衬底温度的Sc掺杂AlN（ScAlN）薄膜.利用X线衍射仪、原子力显微镜和铁电测试仪的电流-电压（I-V）模块研究了衬底温度对薄膜微观结构、表面形貌及电阻率的影响.结果表明,随着衬底温度升高,薄膜的（002）择优取向愈发明显,在650℃时达到最佳;薄膜的表面粗糙度随着衬底温度的升高而减小,在650℃、700℃时分别达到3.064 nm和2.804 nm,但当温度达到700℃时,薄膜表面局部开裂,因此,650℃为获得最佳结晶质
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