【摘 要】
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采用60Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,
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采用60Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导下降越明显,同时辐射后器件栅泄漏电流明显增大,而阈值电压变化很小.对辐射前后器件的沟道串联电阻和阈值电压变化的分析表明,辐射感生表面态负电荷的产生是造成AlGaN/GaNHEMT器件电特性退化的主要原因之一.
A total dose of 1 Mrad (Si) was irradiated on a non-passivated AlGaN / GaN high electron mobility transistor (HEMT) device using 60Co γ-ray radiation. The larger the radiation dose, the smaller the device size. The more obvious the leakage current and the transconductance drop are and the more the gate leakage current of the device increases obviously and the threshold voltage changes little after the radiation.The analysis of the channel series resistance and the threshold voltage of the device before and after irradiation shows that the radiation induced surface state Negative charge is one of the main reasons for the degradation of the electrical properties of AlGaN / GaNHEMT devices.
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