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研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实验结果相一致.
Au吸附在GaAs（110表面的研究
【摘 要】
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研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带
【机 构】
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北京师范大学物理系,北京联合大学职业技术师范学院
【出 处】
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北京师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1992年1期
【基金项目】
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国家教委博士点基金
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