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采用超窄间隙介质阻挡电离放电方法将氧离解、电离、电离离解成低温氧等离子体，其中O-和 O2（a1驻g）等活性粒子在电场中反应生成高浓度臭氧 O3，臭氧浓度达到 286 mg/L。臭氧产生设备输出高浓度臭氧输送给气液溶解混合装置， 将高浓度臭氧强激励溶解于超净水中形成高浓度臭氧超净水，仅用 3 min 其浓度达到 54.6 mg/L。 所形成高浓度超净臭氧水将把硅片表面颗粒物、金属离子、粘附有机物、自然氧化膜等消除掉。 解决硅片表面存在的质量技术问题。