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  5. 集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liubin121366
【摘 要】
：
为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件
【作 者】
：
张海鹏 汪沁 孙玲玲 高明煜 李文钧 吕幼华 刘国华 
【机 构】
：
杭州电子科技大学电子信息学院,浙江万里学院计算机科学与信息学院,杭州电子科技大学电子信息学院IC CAD研究所
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2004年期
【关键词】
：
ESD SOI LIGBT/LDMOS 器件结构 工艺 PIC 
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为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.
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