基于0.18-μm锗硅BiCMOS工艺的60 GHz匹配型高隔离小型化变压器巴伦

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guomeixiang
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介绍了一种工作在60 GHz频率的具有输出端口间高隔离和全端口匹配特性的小型化变压器巴伦芯片,该芯片采用0.18-μm锗硅BiCMOS工艺设计并加工.通过在60 GHz变压器巴伦的输出端口之间引入隔离电路,提高巴伦的隔离度性能并改善输出端口匹配性能;在此基础上,提出了一种基于左手材料传输线的隔离电路,能大大改善传统隔离电路中分布式传输线尺寸大的问题;为了进一步实现巴伦的小型化,在设计中采用了负载电容补偿技术,同时能改善变压器巴伦输入端口的匹配性能.设计的巴伦芯片经过电磁场仿真,其结果与在片测试结果有较高的一致性,验证了提出的设计方法,设计的巴伦芯片具有全端口匹配和输出端口间高隔离度的特性.基于实测结果,在60 GHz频率处,设计的巴伦芯片实现了超过25 dB的输出端口隔离度和优于18 dB的输出端口回波损耗,且占用尺寸极小,仅为0.022 mm2.“,”This paper presents the work of a miniaturized 60-GHz balun chip with isolation and matching perfor?mance fabricated in 0. 18-μm SiGe BiCMOS process. The use of isolation circuit as key building blocks within a 60-GHz transformer balun leads to an improved isolation performance between output ports,while simultaneously achieving the matching performance of them. Moreover,compared to the conventional isolation circuit,the artifi?cial left-handed transmission line is introduced to remove the bulky distributed elements,and the capacitive load?ing compensation technique is utilized for both matching and miniaturization. Both electromagnetic simulation and measurement results of the proposed 60-GHz transformer balun chip design with isolation and matching char?acteristics are given with good agreement. From measurement results,better than 25-dB isolation and 18-dB re?turn loss of the output ports have been achieved at 60 GHz,with an occupied area of 0. 022 mm2.
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