【摘 要】
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采用在硅烷和氩气中进行二极直流溅射钽靶的方法,制备了含硅量为(0—90 at％)的钽硅薄膜。研究了溅射条件对钽硅薄膜电性能的影响以及溅射电压、溅射电流和溅射气压之间的关系
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采用在硅烷和氩气中进行二极直流溅射钽靶的方法,制备了含硅量为(0—90 at％)的钽硅薄膜。研究了溅射条件对钽硅薄膜电性能的影响以及溅射电压、溅射电流和溅射气压之间的关系。经过实验数据的分柝,得出一组适合现有设备的最佳溅射条件。
A tantalum silicon thin film with a silicon content of (0-90 at%) was prepared by a DC sputtering tantalum target in silane and argon. The influence of sputtering conditions on the electrical properties of tantalum silicon thin films and the relationship between sputtering voltage, sputtering current and sputtering pressure were studied. After the experimental data points 得, come to a set of suitable sputtering conditions for the existing equipment.
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