【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术制备HfLaO薄膜,利用X射线衍射（XRD）分析了薄膜的微结构,通过紫外可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观
【机 构】
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大连大学机械工程学院,大连理工大学物理与光电工程学院
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采用射频磁控溅射技术制备HfLaO薄膜,利用X射线衍射（XRD）分析了薄膜的微结构,通过紫外可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌.结果表明：沉积态HfLaO（La：25%～37%）薄膜均为非晶态,随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的结晶化温度逐渐升高,HfLaO（La～37%）薄膜经900℃高温退火后仍为非晶态,具有优良的热稳定性,AFM形貌分析显示非晶薄膜表面非常平整.随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的透射率先降后增,在可见光范围薄
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