【摘 要】
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离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径.本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院
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离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径.本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化.实验发现,沿着平行于正表面的(111)片状缺陷是注氢硅中的重要缺陷.片状缺陷的实质是四层晶面的应变,造成晶格膨胀约0.084nm.实验还发现片状缺陷的尺寸和间距随深度变化,在损伤带预部和中间小,而在损伤带底部附近明显增大.
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