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主要完成人：华灿光电股份有限公司刘榕等该项目经10余年努力，通过芯片结构设计与制备技术系统创新。自主研发4项关键技术，显著增强我国高端芯片国际竞争力。1、发明倒装结构与垂直结构GaN—LED芯片及其制备技术。提高发光功率。倒装结构解决蓝宝石散热不良导致芯片功率降低难题，采用布拉格反射镜提高出光率：垂直结构克服横向电流局部阻塞，改善载流子输运，