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本文介绍了用CZ法生长Nd:Y_3Ga_5O_(12)(YGG)大单晶。YGG熔体易挥发,且其对流花样呈涡流状。X射线衍射相分析表明挥发物为Ga_2O_3。加大炉内保护气N_2压力或用98％N_2及2％O_2的混合气体,都可明显的抑制Ga_2O_3的挥发。常压激光加热基座生长(LHPG)法不能生长YGG单晶光纤。对晶纤的X射线能谱分析(EDS)表明,YGG中Ga_2O_3探发很严重,且Ga从中心迁移到边缘,造成晶纤中组分极不均匀。