论文部分内容阅读
先选择增透膜、Ag底面反射镜和三角带型一维光子晶体结构作为超薄晶硅电池（有源层厚度为12μm）的陷光结构,然后利用有限差分频域法对这一陷光结构进行了优化,最后通过吸收光谱和光电流密度谱对优化的陷光结构性能进行了评估。计算表明：在300 nm≤λ≤800 nm的波长范围内,优化陷光结构实现了Yablonovith陷光极限;在800 nm≤λ≤1100 nm的波长范围内,该优化陷光结构的性能略低于Yablonovith陷光极限,但明显高于矩形条带式一维光子晶体陷光结构的陷光性能。